+

Tin Tức Samsung Galaxy S6 Edge Plus: Exynos 7420, Pin 3000mAh, RAM 4GB, điểm benchmark cao ngất

Thảo luận trong 'Tin tức - Sự kiện' bắt đầu bởi thuyican, 25/7/15.

Đang tải...
  1. thuyican

    thuyican SamsungViet Media

    Chia sẻ trang này

    [​IMG]
    Thông tin những ngày qua về bộ đôi có thể sắp ra mắt là Samsung Galaxy Note 5 cùng phiên bản Galaxy S6 Edge Plus tràn ngập trên các trang tin trong và ngoài nước. SamsungViet vừa nhận được một thông tin từ một thành viên cho viết rằng Galaxy S6 Edge Plus là một phiên bản sản phẩm "thật là tuyệt vời".

    Galaxy S6 Edge Plus (phiên bản SM-G928F) sẽ được trang bị SoC cây nhà lá vườn Exynos 7420 tương tự trên Galaxy S6 và S6 Edge tuy nhiên phiên bản này là rev mới nên chắc chắn xung nhịp và hiệu năng sẽ có cải thiện chút ít khác với những lời đồn đoán ban đầu là máy sẽ chạy vi xử lý Qualcomm Snapdragon 808... Galaxy S6 Edge Plus có thể gọi là sản phẩm smartphone Samsung đầu tiên được trang bị RAM DDR4 4GB, (thông tin trên sản phẩm là 3663MB). Ngoài ra máy cũng có viên pin 3000mAh.

    Cập nhật: Hé lộ điểm benchmark của Galaxy S6 Edge Plus, điểm số đơn nhân của máy đạt 1.463 điểm còn đa nhân được 4.947 điểm. Với điểm số này Galaxy S6 Edge Plus thuộc hàng TOP đầu so với các thiết bị smartphone mới nhất hiện nay.

    gsmarena_002.jpg
    SAMSUNGVIET
    Last edited by a moderator: 29/7/15
    LaiVu thích bài này.
     
  2. .A. Phú

    .A. Phú Thành viên mới

    Hệ máy:
    SM-N910C
    Quá ngon cho đội màn hình cong
  3. thuyican

    thuyican SamsungViet Media Thành viên BQT Moderators

    Hệ máy:
    Galaxy S6 (SM-G920F)
  4. thuyican

    thuyican SamsungViet Media Thành viên BQT Moderators

    Hệ máy:
    Galaxy S6 (SM-G920F)